Модуль транзисторный МТКИД-75-12

Модуль на основе биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) МТКИД-75-12
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при коротком замыкании в цепи база-эмиттер, В (Постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В) 1200
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2.7
Постоянный ток коллектора, А (Температура корпус°С) 75
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность транзистора, Вт 625
Размер 94х34х30,5

цена: 1 040,00 ?